GaN FET評価ボード向け80V二相同期整流降圧コントローラ
ISL81806EVAL1Z二相評価ボードはEモードGaN FET向けに最適化された80V高電圧デュアル同期整流降圧コントローラであるISL81806を搭載し、外部ソフトスタート、独立型イネーブル機能、およびUV/OV/OC/OT保護を提供します。 100kHz~2MHzの範囲でプログラム可能なスイッチング周波数は...
窒化ガリウム電界効果トランジスタ (GaN FET) などのワイドバンドギャップ半導体技術は、高出力モータードライブ、急速充電アダプター、テレコム、コンピューティング、さらには宇宙アプリケーションなど、さまざまな電力管理アプリケーションで使用されています。 ルネサスは、Si FETと比較したGaN FETの利点を活用するために特別に設計されたさまざまなコントローラとドライバを提供しています。
GaNとSi FETの選定プロセスを容易にするために、ルネサスは、両方のタイプのFETを駆動して簡単に比較できるピン互換製品を提供しています。
ISL81806EVAL1Z二相評価ボードはEモードGaN FET向けに最適化された80V高電圧デュアル同期整流降圧コントローラであるISL81806を搭載し、外部ソフトスタート、独立型イネーブル機能、およびUV/OV/OC/OT保護を提供します。 100kHz~2MHzの範囲でプログラム可能なスイッチング周波数は...
The ISL81807EVAL1Z dual-phase evaluation board features the ISL81807, an 80V high voltage dual synchronous boost controller that offers external soft-start, independent...
An overview of the industry’s first high-performance 80V dual-phase buck and boost controllers optimized to drive GaN FETs. With high efficiency, tight load regulation and current sharing, these devices deliver ideal power solutions for industrial automation, telecommunications, medical and automotive applications.