R1LV0216BSBは、シリコンゲート0.15µm CMOSプロセス技術を用いた131,072語 × 16ビット構成を持ち、単一電源で動作する非同期式のスタティクRAMです。メモリセルにTFT技術を用い、高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです。したがってR1LV0216BSBは、低スタンバイ電流かつ低動作電源電流という特性を有していますので、バッテリ駆動を行なうシステムに最適です。
R1LV0216BSBは、高密度実装可能な44ピンの薄型パッケージ(TSOP)に収納されています。
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PLP |
Pkg. Type |
Carrier Type |
Moisture Sensitivity Level (MSL) |
Price (USD) | 1ku |
ご購入 / サンプル |
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型名 | ||||||
R1LV0216BSB-5SI#B1 circleアクティブ サンプル入手可能 |
2032 12月 | TSOP(44) | Tray | 3 | 2.357 | サンプルを入手, |
2032 12月 | TSOP(44) | Embossed Tape | 3 | 2.195 |